Programowanie pamięci eprom 8748 i 8749

Niniejszy podrozdział dotyczy wyłącznie układów 8748 i 8749, które zawierają wewnętrzną pamięć programu typu EPROM.

W czasie programowania i weryfikacji ( ang. programming and verifying) programu część końcówek układu spełnia inne niż poprzednio funkcje:
EA - ustawienie trybu programowania lub weryfikacji (+ 18V)
XTAL - wejścia zegarowe lub do dołączenia rezonatora o Częstotliwości od 3 do 4 MHz;
/RESET - strob adresu (narastające zbocze);
T0 - wybór funkcji; 0V - programowanie, 5V - weryfikacja;
BUS - wejście adresu i danych przy programowaniu lub wejście adresu a wyjście danych przy weryfikacji;
P22-0 - wejście adresu (P22 tylko dla 8749);
Udd - zasilanie przy programowaniu (+21V);
PROG - wejście impulsu programującego (50 ms, +18V);
P11-0 - dołączone do masy (tylko dla 8749).

Poniżej podano procedurę programowania i weryfikacji, jednakową dla układów 8748 i 8749:
1. Warunki początkowe: Ucc = Udd = +5V, dołączony rezonator, /RESET = 0V, T0 = +5V, EA = + 5V, PROG = +5V, BUS dowolne, P10 i P11 dołączone do masy (tylko dla 8749); w tych warunkach układ może być wkładany i wyjmowany z podstawki programatora.
2. T0 = 0V - ustawienie funkcji programowania.
3. EA = +18V - ustawienie trybu programowania lub weryfikacji; zmiana napięcia na EA powinna być dokonana wtedy, kiedy /RESET = 0.
4. Podanie adresu komórki pamięci na porty BUS (osiem mniej znaczących bitów) i P21-0 lub P22-0 (dwa lub trzy znaczące bity).
5. /RESET = +5V - narastanie zbocza sygnału powoduje wewnętrzne zapamiętanie ośmiu mniej znaczących bitów adresu; adres musi być przez cały czas podawany na port P2.
6. Podanie danych do zapisu na port BUS.
7. Udd = +21V - Włączenie napięcia zasilania dla programowania.
8. Podanie na wejście PROG impulsu programującego o napięciu +18V o czasie trwania równym 50 ms.
9. Udd = +5V - wyłączenie napięcia zasilania dla programowania; napięcie to powinno być włączone nie dłużej niż 1 ms przed początkiem impulsu programującego i powinno zostać wyłączone nie później niż 1 ms po jego końcu.
10. T0 = +5V - ustawienie funkcji weryfikacji. Na port BUS zostanie wysłana zawartość komórki pamięci o wcześniej wprowadzonym adresie.
11. Odczytanie danych z portu BUS i sprawdzenie poprawności zaprogramowania; dane znajdują się na BUS, gdy T0 = +5V.
12. T0 = 0 V, /RESET = 0 V - ponowne ustawienie funkcji programowania. W celu zapisania danych do kolejnej komórki pamięci, należy powtórzyć całą procedurę, począwszy od punktu 4.
13. Po zakończeniu programowania wyjęcie układu z podstawki powinno odbywać się w warunkach określonych w punkcie 1.

Zaleca się kasowanie (ang. erasing) zawartości pamięci EPROM przez naświetlenie układu promieniami ultrafioletowymi o długości fali 2537A. Minimalna dawka promieniowania (intensywność x czas) potrzebna do wykasowania pamięci wynosi 15 Ws/cm2. Praktycznie, wykasowanie pamięci następuje w wyniku naświetlania jej od dziesięciu do piętnastu minut z odległości od 3 do 4 cm typową lampą kwarcową o intensywności świecenia 12 mW/cm2. Po wykasowaniu wszystkie bity pamięci programu układów 8748 i 8749 są wyzerowane.

Kasowanie zawartości pamięci EPROM następuje na skutek wystawienia jej na działanie promieni świetlnych o długości fali mniejszej niż 4000A0. Przy przechowaniu (lub pracy) w pomieszczeniu oświetlonym światłem dziennym lub jarzeniowym zawartość pamięci typowego układu może ulec skasowaniu po 3 latach, natomiast przy bezpośrednim oświetleniu promieniami słonecznymi - nawet po tygodniu. W przypadku, gdy warunki pracy układu są takie, że jest on narażony na działanie światła, należy - celem zabezpieczenia pamięci przed skasowaniem - zakleić okienko w układzie.

Odczytywanie wewnętrznej pamięci programu

Zawartość wewnętrznej pamięci programu mikrokomputerów 8048, 8049, 8050 (ROM) oraz 8748, 8749 (EPROM) może być odczytana za pomocą procedury podobnej do opisanej w poprzednim podrozdziale, a dotyczącej weryfikacji pamięci EPROM. Podczas odczytywania funkcje końcówek układu są takie, jak poprzednio, oczywiście z wyjątkiem funkcji Udd i PROG.

Wprowadzanie mikrokomputera w tryb odczytywania wewnętrznej pamięci programu następuje po dołączeniu do wejścia EA napięcia +12V dla układów 8048, 8049,8050 lub +18V dla 8748 i 8749, przy czym musi być spełniony warunek, że /RESET = 0. Poniżej przedstawiono procedurę odczytywania:
1. Przy /RESET = 0 należy podać adres komórki pamięci na porty BUS (osiem mniej znaczących bitów) i P23-0 (cztery bardziej znaczące bity).
2. /RESET = + 5V; przy narastającym zboczu na /RESET następuje wewnętrzne zapamiętanie adresu z portu BUS; adres na P2 musi być podawany przez cały czas.
3. Należy odczytać dane z portu BUS; zawartość zaadresowanej komórki pamięci jest wysyłana do portu BUS, gdy /RESET = +5V.
4. /RESET = 0 oznacza koniec odczytywania jednej komórki; by odczytać zawartość następnej, należy powtórzyć procedurę od punktu 1.
5. Wyjście z trybu odczytywania wewnętrznej pamięci programu (zmiana napięcia na EA z + 12 V na +5 V lub 0 V) powinno nastąpić przy /RESET = 0.

Podczas odczytywania pamięci EPROM stan wejścia /RESET powinien być powtarzany na T0.

Powrót